IRL3102STRR【PDF 2/9 页】MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK

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IRL3102S

Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)

Parameter

Min.

Typ.

Max. Units

Conditions

V (BR)DSS

Drain-to-Source Breakdown Voltage

20

–––

––– V V GS = 0V, I D = 250μA

D V (BR)DSS / D T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient

–––

0.016

–––

V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA ?

V GS = 7.0V, I D = 37A ?

0.013

R DS(on)

V GS(th)

g fs

I DSS

I GSS

Q g

Q gs

Q gd

t d(on)

t r

t d(off)

t f

Static Drain-to-Source On-Resistance

Gate Threshold Voltage

Forward Transconductance

Drain-to-Source Leakage Current

Gate-to-Source Forward Leakage

Gate-to-Source Reverse Leakage

Total Gate Charge

Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain ("Miller") Charge

Turn-On Delay Time

Rise Time

Turn-Off Delay Time

Fall Time

–––

–––

0.70

36

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

10

130

80

110

0.015 V GS = 4.5V, I D = 37A ?

W

––– V V DS = V GS , I D = 250μA

––– S V DS = 16V, I D = 35A ?

25 V DS = 20V, V GS = 0V

μA

250 V DS = 10V, V GS = 0V, T J = 150°C

100 V GS = 10V

nA

-100 V GS = -10V

58 I D = 35A

14 nC V DS = 16V

21 V GS = 4.5V, See Fig. 6 ??

––– V DD = 10V

––– I D = 35A

ns

––– R G = 9.0 W, V GS = 4.5V

––– R D = 0.28 W, ??

L S

Internal Source Inductance

–––

7.5 –––

nH

Between lead,

and center of die contact

C iss

C oss

C rss

Input Capacitance

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

–––

–––

–––

2500 ––– V GS = 0V

1000 ––– pF V DS = 15V

360 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5

Source-Drain Ratings and Characteristics

Parameter

Min. Typ. Max. Units

Conditions

I S

I SM

Continuous Source Current

(Body Diode)

Pulsed Source Current

(Body Diode) ??

––– –––

––– –––

61

240

A

MOSFET symbol

showing the

integral reverse

p-n junction diode.

G

D

S

V SD

t rr

Q rr

t on

Notes:

Diode Forward Voltage

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

Forward Turn-On Time

––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 37A, V GS = 0V ?

––– 59 88 ns T J = 25°C, I F = 35A

––– 110 160 nC di/dt = 100A/μs ??

Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )

? Repetitive rating; pulse width limited by

max. junction temperature.

? Starting T J = 25°C, L = 0.36mH

R G = 25 W , I AS = 35A.

? I SD ￡ 35A, di/dt ￡ 100A/μs, V DD ￡ V (BR)DSS ,

T J ￡ 150°C

? Pulse width ￡ 300μs; duty cycle ￡ 2%.

? Uses IRL3102 data and test conditions

** When mounted on FR-4 board using minimum recommended footprint.

For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.

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